晶閘管伏安特性測試儀型號：DBC-025

簡介
　　該測試儀是符合國標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向阻斷三極晶閘管的測試方法》

產品型號：DBC-025

更新時間：2024-02-20

廠商性質：生產廠家

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晶閘管伏安特性測試儀(yi) 型號：DBC-025

晶閘管伏安特性測試儀(yi)

簡介
　　該測試儀(yi) 是符合國標GB4023-83《半導體(ti) 器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體(ti) 反向阻斷三極晶閘管的測試方法》，能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與(yu) 各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數。
IGBT、場效應管、整流橋、固態繼電器、光耦等半導體(ti) 器件都可測試。線路設計簡潔精煉，采用單片機控製，具有體(ti) 積小、重量輕、操作簡單、測試準確、保護可靠和維修方便等特點，是晶閘管可控矽及整流管等半導體(ti) 器件生產(chan) 單位、經銷商及整機生產(chan) 單位用來檢測器件伏安特性（也叫阻斷特性）參數的為(wei) 理想的專(zhuan) 用檢測設備。
主要技術指標：
    1．峰值電壓測量範圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可選，也可定製其它範圍
    2．峰值漏電流測量範圍：0—100mA、0—200mA可選，也可定製其它範圍
    3．峰值漏電流保護設定範圍：0—99mA、0—198mA
    4．機內(nei) 專(zhuan) 用液晶示波器可觀看動態峰值電壓與(yu) 峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形
儀(yi) 器測試使用方法：
    1．檢查高壓調節旋鈕反時針調到零，打開電源開關(guan) ，按極性接好被測管。
    2．根據個(ge) 人習(xi) 慣，調節示波器的各項功能（光點位置、顏色、粗細等）至合適狀態。
    3．將保護設定調在要求保護的漏電流值。撥碼開關(guan) 上麵的一個(ge) 數字代表1mA，多可以設定到99mA，一般
          測室溫電壓時，保護設定在5mA左右。
    4．將正向／反向按鈕置於(yu) 正向（不按下時），緩慢順時針調節高壓調節旋鈕，觀察示波器，當波形出現拐點，
          漏電流表上也顯示有漏電流時，此時的電壓即為(wei) 正向不重複峰值電壓。一般取不重複峰值電壓的90%為(wei)
          重複峰值電壓，將電壓調至重複峰值電壓，此電壓下的漏電流即為(wei) 重複峰值漏電流。然後將高壓調節旋鈕
          反時針調到零，再將正向／反向按鈕置於(yu) 反向（按下時），用同樣的方法測出反向不重複峰值電壓，反向
          重複峰值電壓和反向重複峰值漏電流。在測試過程中若因漏電流超過保護設定值則保護動作，保護指示燈
          亮，設備自動斷開加在被測管Ａ、Ｋ端的高壓，此時將高壓調節旋鈕反時針旋到底，儀(yi) 器即自動複位。
使用注意事項：
    1．三線電源插頭的地端要可靠接地，以確保測試人員的安全。
    2．測試峰值電壓後，應養(yang) 成習(xi) 慣及時將高壓調節旋鈕調到零，禁止在加上高壓時調節保護設定及正反向，測試
          過程中嚴(yan) 禁用手觸摸元件導電部分，以免電擊。
    3．測試不帶散熱器的管芯時，要加一定的壓力，以免管芯內(nei) 部接觸不良產(chan) 生測試誤差，或因為(wei) 內(nei) 部打火損壞
          被測元件。
    4．測試元件耐壓時應盡量不要測到保護動作，以確保元件不被擊穿損壞。